header
IDEI 499/2008
hm14

STUDII COMPLEXE DE FIZICA DEFECTELOR PRODUSE DE CAMPURI EXTREME DE RADIATIE IN MATERIALE PE BAZA DE SILICIU

Coordonator: Institutul National de Cercetare - Dezvoltare pentru Fizica Materialelor

Director Proiect: Dr. Sorina Lazanu

Rezumat

Obiective

Activitati

Rezultate

Rezumat

In ciuda faptului ca fenomenele de degradare in materiale şsi dispozitive in câmp de radiaţtii şsi defectele in semiconductori cristalini se studiazăa de peste cinci decenii, multe aspecte au răamas încăa neclarificate. Scopul proiectului este de a aduce contribuţtii in aceastăa tematicăa. Problematica este de cercetare fundamentalăa, la graniţta intre fizica semiconductorilor, fizica particulelor, fizica atomica şsi nuclearăa, cu potenţtial aplicativ in fizica energiilor înalte, in tehnologia informaţtiei, in medicina nuclearăa.

In proiect se vor aborda probleme legate de: corelarea producerii de defecte cu pierderea de energie in semiconductori cristalini in câmp de radiaţtie şsi distribuţtia spaţtialăa a defectelor produse; de studiul interacţtiilor defectelor primare şsi agregarea acestora in defecte stabile (clusteri), studiul stabilităaţtii şsi metastabilitatii defectelor complexe şsi a clusterilor folosind consideraţtii energetice şsi termodinamice.

Pentru a realiza obiectivele proiectului, vom aborda problematica folosind atât metode teoretice, fenomenologice, cât şsi experimentale.

Scopul şsi obiectivele proiectului se încadreazăa in obiectivele derivate ale programului IDEI din cadrul PNCDI II, şsi de asemenea in direcţtiile de cercetare de vârf din lume. Echipa de cercetare este formatăa din: directorul de proiect, cu preocupăari in tematicăa din 1990, din doi cercetăatori cu experienţtăa, unul specializat in fizica experimentalăa a semiconductorilor, celăalalt (postdoc) in fizica teoreticăa, şsi din 3 cercetăatori in formare, dintre care unul doctorand, ceilalţti doi cu potenţtial de a se înscrie la doctorat pe durata proiectului. Diseminarea rezultatelor se va face prin realizarea unei pagini de web a proiectului, prin publicarea a 4 articole in reviste din fluxul principal de informaţtie, prin 3 comunicăari la conferinţte internaţtionale, prin 4 rapoarte de autoevaluare anualăa, care vor fi susţtinute public intr-un cadru stabilit de finanţtator.

Top

Obiective

  • 1. Defecte punctuale induse de iradiere in siliciu
  • 2. Investigarea microscopic – macroscopice a degradăarii induse de iradiere
  • 3. Partiţtionarea energiei depuse prin iradiere
  • 4. Distribuţtia spaţtiala a energiei depuse in siliciu de hadroni si ioni
  • 5. Studiul interacţtiilor si agregăarii defectelor primare de iradiere in siliciu
  • 6. Corelaţtia dintre producerea de defecte si pierderea de energie in semiconductori cristalini in câmpuri energetice

Top

Activitati

Etapa

OBIECTIVUL / ACTIVITATEA ETAPEI

Calendar
 

 

I

* Defecte punctuale induse de iradiere in siliciu
    1.1. Sinteza rezultatelor raportate in literatura privind energiile de formare, intervalul de                temperatura de stabilitate, caracteristici structurale si electrice, funcţtie de sarcina electrica.
    1.2 Dezvoltarea modelului de cinetica defectelor pentru siliciu de diferite dopăari si iradiat in condiţtii diferite
    1.3 Comparaţtie calcule – experiment
* Investigarea microscopic – macroscopica a degradăarii induse de iradiere
    2.1. Achizitie plachete de siliciu

sept 2009

II

* Partitionarea energiei depuse prin iradiere
    1.1 Dezvoltarea unui model analitic
    1.2 Studiul efectelor iradierii cu particule / ioni
* Investigarea microscopic – macroscopice a degradăarii induse de iradiere
    2.1. Prepararea probelor de Si: depunerea de contacte ohmice si sinterizarea acestora

dec 2009

III

*Distributia spatiala a energiei depuse in siliciu de hadroni si ioni
    1.1. Simulari SRIM pentru diferiti ioni incidenti pe Si
    1.2. Simulari SRIM pentru protoni incidenti in siliciu

*Investigarea microscopic – macroscopice a degradarii induse de iradiere
    2.1. Iradieri
    2.2. Masurarea preliminara a probelor iradiate

*Studiul interactiilor si agregarii defectelor primare de iradiere in siliciu
    3.1. Considerarea diferitelor mecanisme de interactie. Proprietati structurale si de coeziune a defectelor primare si agregarea lor in siliciu

dec 2010

IV

 

 

V

 

 

Top

Rezultate

2009

Lucrari publicate

1. S. Lazanu, M.L. Ciurea, I. Lazanu, J. Opt. Adv. Mat. 11 (2009) 2140
2. I. Lazanu, S. Lazanu, Rom. Rep. Phys. 62 (2010) acceptata

Conferinte & Mese rotunde

1. Romanian Conference Adv. Materials, 25- 28 august 2009, Brasov, Romania: "Semiconductor detectors for high radiation fields: microscopic processes in materials and the control of device parameters", S. Lazanu, M.L. Ciurea, I. Lazanu
2. International Semiconductor Conference CAS 2009, 11-14 octombrie 2009, Sinaia, Romania: "Defect production in silicon and germanium by low temperature irradiation", S. Lazanu, I. Lazanu, A. Lepadatu and I. Stavarache

Top

Rezultate

2010

Lucrari publicate

1. I. Lazanu, S. Lazanu, Transient processes induced by heavy projectiles in silicon, Nucl. Instr. Meth. Phys res B 268 (2010) 2241-2245

2) S. Lazanu, I. Lazanu, Gh. Ciobanu, Modelling the transient processes produced under heavy particle irradiation, acceptat la Nucl. Instr. Meth. Phys Res. B

Conferinte & Mese rotunde

1) S. Lazanu, I. Lazanu, Gh. Iordache, I. Stavarache, A. Lepadatu and A. Slav, Study of the interactions of ions in silicon: transient processes and defect production, 2010 Intnational Semiconductor Conference Vol. 2, pp 329-332, ISSN 1545-827X


*** Premiul CAS (best paper award) pentru lucrarea realizata in cadrul contractului in 2009: Defect production in Si and Ge by low temperature irradiation, S. Lazanu, I. Lazanu, A. Lepadatu. I. Stavarache.

Top

Rezultate

2011

Lucrari publicate

Conferinte & Mese rotunde

Top

hm14

Updated: 31 ian 2012 - Ionel Stavarache: stavarache@infim.ro