header
hm14

Noi materiale nanostructurate semiconductoare pe baza de nanoparticule de Ge in diferiti oxizi pentru aplicatii in fotodetectori VIS-NIR si dispozitive de memorii nevolatile

Coordonator: Institutul National de Cercetare - Dezvoltare pentru Fizica Materialelor

Director Proiect: Dr. Magdalena Lidia Ciurea

Obiective Rezultate
Activitati
Rezumat

Rezumat

      Scopul acestui proiect este ob?inerea de noi materiale semiconductoare nanostructurate pe baza de nanoparticule Ge (nps), cu proprieta?i optimizate pentru a fi utilizate în fotodetectori in vizibil ?i infrarosu (VIS-NIR) si în dispozitive de memorie nevolatila (NV). Acest scop va fi realizat prin urmatoarele obiective:

   A) Prepararea si caracterizarea filmelor nanostructurate pe baza de nanoparticule de Ge in SiO2, TiO2, HfO2, cu proprietati fotoconductive si electrice optimizate;

   B) Prepararea si caracterizarea complexa a modelelor experimetale pentru fotodetector in domeniul VIS-NIR si memorie nevolatila, utilizand materialele optimizate;

   C) Realizarea fotodetectorului VIS-NIR si a memoriei NV pentru a demonstra experimental conceptul proiectului si aplicatiile.

   D) Estimarea impactului economic.

      Pe baza rezultatelor obtinute din cercetarea de material in Faza I, si a celor obtinute din investigarea structurilor si a modelelor experimentale in Faza II, in Faza III vom realiza doua prototipuri, unul pentru fotodetector VIS-NIR si altul pentru memorie nevolatila, ambele cu specificatiile tehnice corespunzatoare. Astfel, vom demonstra ca noile materiale nanostructurate pe baza de Ge nps obtinute in proiect sunt adecvate pentru cele doua dispozitive, fotodetector VIS-NIR si memorie nevolatila. In Faza IV se va elabora documentatia tehnico-economica si studiul de fezabilitate pentru fiecare din cele doua dispozitive.

      Cele doua dispozitive vor fi integrate într-un sistem pentru identificarea evenimentelor. De asemenea se va realiza un sistem de testare automata si de masurare pentru aplica?ii industriale ?i pentru fabricarea de dispozitive.

      Rezultatele ob?inute prin realizarea obiectivelor proiectului vor avea un nivel ridicat de noutate si originalitate. Ca urmare, rezultatele ?tiin?ifice vor fi publicate in 5 lucrari ?i prezentate in 7 comunicari la conferin?e interna?ionale de prestigiu. Rezultatele tehnologice vor fi obiectul a 3 cereri de brevet.

      In proiect vor fi implicati tineri studenti (dizerta?ii ?i / sau teze de doctorat), ceea ce va contribui la formarea lor ca cercetatori in domeniul proiectului.

Top

Obiective

2012 Faza I: Prepararea si caracterizarea filmelor nanostructurate pe baza de nanoparticule de Ge in SiO2, TiO2, HfO2, cu proprietati fotoconductive si electrice optimizate.

Top

Activitati

Etapa

Prepararea si caracterizarea filmelor nanostructurate pe baza de nanoparticule de Ge in SiO2, TiO2, HfO2, cu proprietati fotoconductive si electrice optimizate.

Calendar
 

 

I

Activitati

AI.1 Depunerea de filme amorfe de oxizi, Ge si Ge-oxid prin pulverizare catodica cu magnetron si evaporare cu fascicul de electroni; studiul grosimi, compozitiei, microstructuri filmelor, si optimizarea parametrilor de depunere.

AI.2 Proiectarea probelor test (TS(a) si TS(b)) si a procesului de preparare in cleanroom; optimizarea operatiilor tehnologice din cleanroom.

AI.3 Prepararea probelor test.

AI.4 Studiul proprietatilor electrice, fotoconductive si optice pentru optimizarea proceselor (tehnologice): caracterizarea probelor test.

AI.5 Realizarea paginii web a proiectului.

20 dec 2012

Top

Rezultate

2012

Articole publicate/trimise spre publicare:

1.“Multi-layers of interacting Ge nano-crystals in SiO2”,Ana-Maria Lepadatu, Ionel Stavarache, Valentin Serban Teodorescu, Toma Stoica, Magdalena Lidia Ciurea, submitted to Journal of Nanoparticle Research

2."New procedure for optimizing dye-sensitized solar cells", ”, Mihai Razvan Mitroi, Laurentiu Fara, Magdalena Lidia Ciurea, submitted to Solar Energy.

Comunicari la conferinte internationale si nationale

1.“Electrical properties related to the structure of films with Ge nanoparticles embedded in SiO2 matrix”, Magdalena Lidia Ciurea, Ana-Maria Lepadatu, Ionel Stavarache, Catalin Palade, Valentin S. Teodorescu, (prezentata oral - Drd. A-M Lepadatu) EMRS 2012 Fall Meeting, 17 – 21 septembrie 2012, Varsovia, Polonia.

2.“Structure and electrical characterization of GeSi nanostructured films”, Ana-Maria Lepadatu, Ionel Stavarache, Adrian Valentin Maraloiu, Catalin Palade, Valentin Serban Teodorescu, Magdalena Lidia Ciurea, EMRS 2012 Fall Meeting, 17 – 21 septembrie 2012, Varsovia, Polonia.

3.“Electrical behaviour related to structure of nanostructured GeSi films annealed at 700 C”, Ana-Maria Lepadatu, Stavarache Ionel, Adrian Maraloiu, Palade Catalin, Teodorescu Valentin Serban, Ciurea Lidia Magdalena, International Semiconductor Conference, publicata in Proceedings vol.1, p. 109-112, CAS 2012, 15 – 17 octombrie, Sinaia

4.“Transport mechanisms in SiO2 films with embedded germanium nanoparticles”, Catalin Palade, Ana-Maria Lepadatu, Ionel Stavarache, Adrian V. Maraloiu, Valentin S. Teodorescu, Magdalena Lidia Ciurea, International Semiconductor Conference, publicata in Proceedings vol.1, p. 91-94, CAS 2012, 15 – 17 octombrie, Sinaia.

5.“Electrical and structural properties of nanostructured GeSi films”, A.-M. Lepadatu, I. Stavarache, A. Maraloiu, C. Palade, V. S. Teodorescu, L. M. Ciurea, 3rd International Colloquium “Physics of Materials” (PM–3), 15 – 16 noiembrie 2012, Bucuresti.

6.“Electrical behaviour related to the structure of SiO2 films with embedded Ge nanoparticles”, I. Stavarache, C. Palade, A. M. Lepadatu, A. V. Maraloiu, V. S. Teodorescu, M. L. Ciurea, 3rd International Colloquium “Physics of Materials” (PM–3), 15 – 16 noiembrie 2012, Bucuresti

hm14

Updated: 31 ian 2012 - Ionel Stavarache: stavarache@infim.ro

Top